DDR4 от Samsung.

Сергей Мухин.
www.rulezh.blogspot.com

Компания Samsung сообщила о "захвате пальмы первенства" - южно корейцам
удалось первыми создать модули памяти DDR4, используя микросхемы, изготовленные
по технологии 3х нм класса. Как уже давно известно, основная ставка при
разработке делалась на энерго-эффективность, а не на увеличение скоростей,
так что заявление производителя о том , что новые модули потребляют на 40%
меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1.5 В,
было вполне ожидаемо. Помимо пониженного напряжения питания (модули DDR4
способны работать при напряжении 1.05 В) есть и еще один источник экономии технология Pseudo Ореп Dra i n ( РОD ), вдвое уменьшающая потребляемый ток во
время чтения/записи. При этом скорость передачи увеличилась до 2.1 33 Гбит/с
при напряжении питания 1.2 В (для памяти DDR3, рассчитанной на напряжение
питания 1.35 или 1.5 В, этот показатель достигает 1.6 Гбит/с). Организация JEDEC
должна утвердить новый стандарт DDR4 уже во второй половине текущего года.